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跑跑卡丁车尖峰sr(茂睿芯推出33W氮化镓快充合封芯片MK2787/MK2788)

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跑跑卡丁车尖峰sr(茂睿芯推出33W氮化镓快充合封芯片MK2787/MK2788)

茂睿芯推出33W氮化镓快充合封芯片MK2787/MK2788

氮化镓作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潜心研发,整合优势资源,让客户更加方便地用上氮化镓技术,获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势,降低充电器的能耗,节能减排助力“3060双碳”战略。

茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC PWM产品:MK2697/MK2697G,其中MK2697外驱MOSFET(SJ MOS,超级硅等),MK2697G直驱E-GaN。搭配业界最全的同步整流产品, 茂睿芯为客户提供全套高频高效的快充解决方案,累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。

致力于为客户提供最优解,进一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系统可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788,集成GaN HEMT的ACDC功率开关,MK2787采用ESOP-8封装设计,MK2788采用DFN5x6封装设计,方便客户选用。

E-GaN开通阈值和栅源工作电压都很低,对驱动电路的干扰非常敏感,在设计驱动电路时需要最小化栅极驱动环路面积、减小寄生电感,避免过冲导致器件误开通或误关断。相比外驱方式,合封显著降低驱动环路面积,提高GaN系统的可靠性,同时使得客户PCB布局更加便利。此外MK2787/MK2788采用茂睿芯独有的处于行业领先位置的高压技术,Vcc耐压高达110V,PPS应用无需稳压电路;采用了专利软驱技术,有效降低同步整流管电压应力;采用高频QR控制技术,有效减小变压器尺寸。

一、高功率密度33W PD解决方案:MK2787/MK2788

特性介绍:

高耐压: MK2788 110V Vcc 耐压,无需稳压电路

低应力: 专利软驱技术,有效降低原副边功率管应力

高集成度: 集成650V/480mΩGaN HEMT,减小PCB布板面积

高频QR: 支持高频设计,有效减小变压器体积

高效率: 33W满载效率高达92.4%

应用框图:

满载、轻载都在精确的谷底导通,有效提升系统效率:

专利软驱技术, 即使在264V AC输入,各种工况下,VDS_SR最大尖峰电压仅为74.6V,采用100V 或 80V MOSFET足以应对各种工作状态:

高效率,33W满载效率高达92.4%,温升仅53.7℃(25℃环温测试):

二、特色ACDC产品系列

针对PD/QC等快充方案变电压输出的特性,茂睿芯已陆续推出多款宽Vcc范围的ACDC解决方案,专利保护的软驱技术,可大大优化初次级MOS应力,为客户省去传统方案中的Vcc稳压电路,减小布板空间、降低BOM成本,方便灵活使用。

三、品类完整、技术领先的同步整流产品系列

针对PD/QC等快充方案变电压输出的特性,茂睿芯已陆续推出多款宽Vcc范围的ACDC解决方案,专利保护的软驱技术,可大大优化初次级MOS应力,为客户省去传统方案中的Vcc稳压电路,减小布板空间、降低BOM成本,方便灵活使用。

继DNF手游版后,腾讯又代理一款国民级游戏,腾讯这步棋太狠!

DNF作为一款经典的游戏,可以说承载了许多玩家的回忆,在如今手游大爆的环境下,许多DNF的老玩家也纷纷在期待它的手游化,近日DNF手游终于公开了内测消息,让不少玩家兴奋不已。

这款DNF手游也被玩家认为是腾讯今年对网易放的一个 "大招"。其实腾讯除了代理DNF手游之外,也代理了另一个大IP,并且还是和DNF同一个公司的作品。

这款游戏就是《跑跑卡丁车》,说到《跑跑卡丁车》,想必大家都不会陌生, 从2006年公测以来,《跑跑卡丁车》已经走过了十二年的时光。从C1、G3、R4、PRO、SR到HT、X等赛车世代,尖峰、棉花糖、合金、爆裂、马拉松等经典车系,宝宝、皮蛋、黑妞、葱头等诸多个性角色,到水炸弹、磁铁、飞碟、导弹等不同道具,都令人难忘。

在国内当时缺少竞速类网游的历史背景下,男女通吃的《跑跑卡丁车》可以说是网游市场的一剂猛药。在上线那一周就快速跻身了游戏类的榜首,直到如今,很多人提起它还是一脸怀念。

既然《跑跑卡丁车》拥有如此多的受众,看来腾讯这次是稳操胜券来了,网易也不得不服。不过其实国内也有一款竞速类的游戏差不多和《跑跑卡丁车》在同一个时期上线,它就是《QQ飞车》。

《QQ飞车》的诞生,不仅超越了《跑跑卡丁车》人气,更让竞速类游戏达到了一个顶峰,并且如今《QQ飞车》也拥有着一大批忠实的玩家,保持着当年的热度。

在手游开始兴起火爆的时候,天美工作室也准确地洞察到了用户的需求,并上线了《QQ飞车》手游版,在上线之后,《QQ飞车》手游在战术竞技品类的浪潮下异军突起,推动竞速品类成为2018年最大黑马……

除了得益于本身的IP之外,天美对游戏核心的提炼,到外围系统的细节追求,都是促使它成功的原因。如今《QQ飞车》也已经陪伴我们度过了十年的时间,相信在下一个十年,它还会给我们更多的惊喜。不得不说,现在腾讯手执竞速类游戏两大IP,真是太狠了,这还让其他公司怎么玩?

可同时给苹果全家桶供电,倍思三口30W快充充电器拆解

此前Baseus倍思推出过一款20W 1A1C双口快充充电器,除支持iPhone 12 20W快充外,配备双口能同时给两台设备同时充电也是一大卖点,而控制双口输出电压IC采用的是云矽半导体XPD738,通过了USB PD3.0认证,十分可靠。

本次拆解的倍思30W快充充电器CCCP30UC则是在前者的基础上对接口和功率做了全面升级,产品外观ID不变。充电器配备2A1C接口,支持30W PD快充以及18W QC快充,可最多同时为三台设备充电。下面就一起来看看产品内部具体用料做工。

此前充电头网还拆解过倍思120W 2C1A氮化镓快充充电器、倍思100W 2A2C氮化镓快充充电器、倍思QC5认证100W氮化镓快充、倍思30W超级硅充电器、倍思20W Super Si超级硅充电器、倍思10000mAh 1A1C二合一氮化镓充电器等产品,欢迎查阅。

一、倍思30W充电器外观

包装盒全纸质设计,正面左上角设有Baseus品牌,中心是充电器外观图,下方印有产品名称和For iP 20W卖点。

背面是产品使用场景图以及厂商的基本信息介绍。

侧面印有产品参数。

包装内含充电器、使用说明书、保修卡和卡通贴纸。

充电器采用PC材质黑色外壳,主体哑光处理,靠近顶部区域亮面设计,撞色处理看上去更有特点。

机身正面中心印有Baseus品牌logo。

背面印有30W字样,表明充电器最大支持30W快充。

输入端采用固定式国标插脚。

输入端外壳上标注有充电器参数信息

型号:CCCP30UC

输入:100-240V~50/60HZ 0.8A

输出:

USB-C:5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A

USB1/2:5V3A、9V2A、12V1.5A

C A1 A2:5V3A

产品已经通过了CCC认证。

顶面配有2A1C三个接口,均采用橘红色胶芯,接口旁还印有区别标识。

实测充电器机身高度为51.65mm。

宽度为45.63mm。

厚度为27.83mm。

和苹果30W充电器直观对比,接口更多,体积优势明显。

拿在手上的直观感受。

净重约为65g。

使用

ChargerLAB POWER-Z KT002测得USB-C口支持Apple 2.4A、Samsung 5V2A、DCP协议,以及QC2.0/3.0、AFC、FCP、PD3.0、PPS快充协议。

此外PDO报文显示C口还具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A五组固定电压档位,以及3.3-11V2.7A一组PPS电压档位。

另外测得USB-A1口支持QC2.0/3.0、AFC和FCP快充协议。

测得A2口兼容协议和A1口的完全相同,支持单口盲插使用。

二、倍思30W充电器拆解

将顶部外壳拆开。

取出充电器模块。

测得模块长度为47.68mm。

宽度为40.6mm。

厚度为19.06mm。

充电器初次级间设有黑色绝缘隔离板。

PCB板正面一览,电容、变压器等器件打胶加固。

板子背面一览,设有整流桥、初级开关MOS管、协议芯片等器件。

输入端一览,设有保险丝、

NTC浪涌抑制电阻和共模电感。

延时保险丝规格为2A 250V。

NTC浪涌抑制电阻用于抑制上电浪涌电流。

共模电感双线绕制,滤除EMI干扰。

LMR10L30整流桥特写。

侧面设有工字电感、高压滤波电解电容以及Y电容。

工字电感特写,外套绝缘管保护。

三颗高压滤波电解电容来自Acon中元,规格分别是400V 22μF和400V 15μF。

另一侧设有主控芯片供电电容以及变压器。

主控芯片供电电容特写,规格为100V 4.7μF。

充电器主控芯片采用茂睿芯MK2687。据充电头网了解,MK2687是茂睿芯在去年秋季PD展会上首发的一颗PD专用PWM芯片,其110V VCC耐压优化PD辅助供电设计,支持USB PD PPS 3.3V-20V的输出变化过程,无需额外的稳压电路。

MK2687自主专利技术,能够显著降低开机时原副边功率管的电压尖峰,提高系统可靠性;MK2687是一款集成了多模式(CCM/DCM/QR)工作方式的PWM IC,多段式的频率曲线,有效提高系统效率。芯片推出半年来已经在多个客户实现量产。

MK2687提供了全面的保护功能,有输出OVP, OPP, VCC OVP,BROWN-IN/OUT, 还提供了副边SR短路保护, PIN脚OPEN/SHORT保护,以及输入电压OVP保护等。提供了SOT23-6封装。

充电头网通过拆解了解到,茂睿芯的ACDC PWM 还被倍思20W 1A1C快充充电器、air-J 18W 1A1C快充充电器、华科生迷你33W快充、爱莎瓦特65W 2A1C氮化镓快充等产品采用。

初级开关MOS管采用紫光微TPD65R600M,耐压650V,导阻0.6Ω,TO-252封装。

变压器特写。

EL 1018光耦,用于初级次级通信,反馈输出电压。

Y电容特写。

同步整流芯片特写,丝印MK1718。

输出滤波固态电容来自绿宝石,规格为25V 470μF。

另一颗固态电容特写,规格也是25V 470μF。

输出端一览,USB-C母座焊接在小板上。

协议芯片采用云矽半导体XPD977,2A1C三口输出电压全部由这颗芯片控制。XPD977已经通过了USB PD3.0认证,TID:5594。支持QC2.0/3.0/3.0 、AFC、FCP、SCP、HVSCP、PD和PPS等快充协议,还支持小米CHARGE TURBO 27W协议、华为10V高压 SCP协议等。

云矽半导体XPD977内部集成 10mΩ VBUS 通路功率开关管,并且集成10mΩ电流检测电阻,内置VPWR和VBUS双放电通路。支持完善的保护功能,节省外围元件数量,简化电路,降低成本。采用QFN5X5-32封装。

充电头网拆解了解到,云矽半导体XPD系列快充协议芯片已被公牛,贝尔金,联想,诺基亚,飞利浦,傲基,倍思,品胜,摩米士等多个品牌的数十款产品采用,抓住20-30W PD快充风口,富满集团云矽半导体单月PD协议芯片销量突破千万颗。

华润微HRT30P13J,耐压30V,DFN3x3_8L封装,这颗作为C口输出VBUS开关管。

另一颗华润微HRT30P13J特写,用于两个A口输出分配。

USB-C母座特写,过孔焊接。

USB-A1母座特写。

USB-A2母座特写。

全部拆解完毕,来张全家福。

充电头网拆解总结

倍思这款30W充电器配备2A1C接口,纵观整个30W级快充配件能配备3个接口的十分少见,而这也是产品的一大卖点,可以同时给三台设备进行充电。此外兼容QC、AFC、FCP、PD3.0、PPS等快充协议,整体兼容性不错,既可以满足iPhone 13新机快充,也能给其它品牌手机快充。

充电头网拆解发现,充电器快充协议芯片同样采用云矽半导体XPD977,而且是一颗协议芯片控制三口输出。XPD977具备云矽半导体XPD系列产品一贯的集成度高、兼容快充协议丰富、完善保护功能等特点,而且通过了USB PD3.0认证。

XPD系列IC性能可靠不说,以XPD977为例,对于商家设计一款三口快充仅需一颗即可搞定,可大大降低设计难度以及减少系统成本,让产品在市场上更具竞争力。

整流二极管基础知识详解

整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。

整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。

整流二极管选用

整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。

选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。

整流二极管特性

整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有最大整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。

整流二极管常用参数

(1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

(2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V

(3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。

(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。

(5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流,如开关电源中。

(6)反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

(7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管损坏原因

(1)防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置,即使设置了防雷、过电压保护装置,但其工作不可靠,因雷击或过电压而损坏整流管。

(2)运行条件恶劣。间接传动的发电机组,因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求,使发电机长期处于高转速下运行,而整流管也就长期处于较高的电压下工作,促使整流管加速老化,并被过早地击穿损坏。

(3)运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏。

(4)设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力干扰之下;同时由于发电机组转速时高时低,使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便大大地加速了整流管的老化、损坏。

(5)整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成整流管击穿损坏。

(6)整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小,使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。

整流二极管代换

整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管,而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管检查方法

首先将整流器中的整流二极管全部拆下,用万用表的100×R或1000×R欧姆档,测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大,例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大,而电阻值小的仅几百Ω甚至更小,说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等,而且电阻值很小,说明该二极管已被击穿损坏,不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大,说明此二极管已经内部断开,不能使用。

高频整流二极管的特性与参数

开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点,还应具有足够大的输出功率,可以采用以下三种类型的整流二极管:快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降,其范围是从0.8~1.2V。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此,它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。

由于现代的开关电源工作频率都在20kHz以上,比起一般的整流二极管,快速恢复整流二极管和超快速恢复整流二极管的反向恢复时间莎Ⅱ减小到了毫微秒级,因此,大大提高了电源的效率。据经验,在选择快速恢复整流二极管时,其反向恢复时间至少应该是开关晶体管的上升时间的1/3。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰,而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波。另外,虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小,但是它们的反向恢复时间较长,反向电流也较大,因而使得开关损耗增大,并不能满足开关电源的工作要求。

快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器件使用时是否需要散热器,要根据电路的最大功率来决定。一般情况下,这些二极管在制造时允许的结温在175℃,生产厂家对该指标都有技术说明,以提供给设计者去计算最大的输出工作电流、电压及外壳温度等。 肖特基整流二极管即使在大的正向电流作用下,其正向压降也很低,仅有0.4V左右,而且,随着结温的增加,其正向压降更低,因此,使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的,因为此器件是多数载流子半导体器件,在器件的开关过程中,没有清除少数载流子存贮电荷的问题。

肖特基整流二极管有两大缺点:其一,反向截止电压的承受能力较低,目前的产品大约为100V;其二,反向漏电流较大,使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。当然,这些缺点也可以通过增加瞬时过电压保护电路及适当控制结温来克服。表示出了典型的高速整流二极管的特性与参数。

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库克称在中销量下滑,或是价格太贵?

近日,在库克给投资者的一封信中,库克称苹果近期的新款IPHONE销量下滑的主要原因是因为在大中华区的销量下滑严重,甚至暗示价格高导致许多人消费不起,这一系列的原因真的是如此吗?

下滑严重目前来看是肯定的,毕竟周围会追IPHONE的死忠果粉越来越少了,大家仿佛都累了不想追了,这是为什么呢?库克是应付投资者呢还是确有其事呢?是我们消费不起吗?

因为IOS的新系统会检测电池的老化程度,当到达一定程度的时候,就会触发降频机制,就和电脑过热降频的道理是一样的,最直观的感觉就是性能的下降,原先打开APP很短时间就够但是现在得很久,甚至不会卡的IPHONE会让你有卡的感觉。

前段时间苹果被迫修改了电池政策之后,在中国就掀起了一阵换电池的热潮,人们纷纷将自己的IPHONE换上了官方的新电池,手机原地满血复活。所以当苹果发布新品时,许多理智的消费者觉得并没有升级的必要,无非就是综合上的一些小升级。花大把的钱带不来那么多的体验,消费者不买账。事实也是如此,自从史蒂芬·乔布斯去世之后,蒂姆·库克并没有研发出一款手机像IPHONE4发布时那般,给业界带来巨大的震撼,甚至改变整个手机界的生态。仿佛他一直在把IPHONE变大变长。

消费者越来越不买账,人们感受不到苹果的创新,越来越理智,换电池能解决的事情谁还会去换手机呢?反观国内的手机市场,竞争激烈,国产的手机经常能让人眼前一亮。甚至每一家公司都有自己新奇的手机,百家齐放。没办法库克只好降价来卖IPHOINE,但是降价也没有取得多大的成效,甚至还把两年前发布的HomePad上线中国的市场,开始卖旧的东西。消费者自然是不会买的。

近日苹果在海外还陷入了侵权风波,最近打赢了一场官司但是销售禁令仍然有效,目前库克处于内忧外患。不过世界各地的果粉可不会心疼他,因为他实在是太不会创新了,一手好牌打的稀烂。库克也该反思反思自己了,而不是暗示中国消费者消费不起IPHONE SR,我相信如果苹果愿意倾听消费者的声音,专心做好创新,就算卖的比现在还贵,也不会销量下滑的。毕竟我们中国人的购买力还是很强的,当库克明白要重视大中华区而是帅锅给我们的时候,或许他的销量才会有所提升。不去做性价比也不创新不去做精品,又有谁回去买账呢?消费者可不是像你的投资者那样好应付的。

现在的苹果公司已经不是当年的苹果公司了,甚至让人们觉得它会失去它的统治地位,消费者越来越失望,不知道苹果的下一款产品,会不会能让人有购买的欲望呢。会不会变回曾经的“肾”机呢?

你们现在用的IPHONE是最新的吗?如果不是,不想让你换机的理由是什么呢?欢迎大家在下方留言讨论~

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